Shottky Dioden

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Dieses Kapitel soll einige wichtige Informationen, Erkenntnisse, Versuche oder auch nur Denkanstösse über Shottky-Dioden liefern können. Shottky-Dioden sind den bekannten Silizium-Dioden recht ähnlich und unterscheiden sich dennoch in einigen wichtigen Eigenschaften.

Das Schaltsymbol einer Shottky-Diode:

Wie normale Siliziumdioden auch, läßt eine Shottkydiode zumindest idealerweise den Stromfluß (I_f) in nur eine Richtung zu. Ebenfalls bewirkt der vorwärts gerichtete Strom einen Spannungsabfall (U_f) an der Diode. Wie bei anderen Bauteilen auch, erzeugt das Produkt aus Strom und Spannungabfall eine Verlustleistung (P_v) in der Diode in Form von Wärme. Also - warum wird dann in Silizium und Shottky-Dioden unterschieden. Läßt man den inneren Aufbau einmal außen vor, da dieser erst im nächsten Absatz beschrieben wird, kann es lediglich an den Absolutwerten der allgemeinen Eigenschaften liegen. Hierin sind auch die Hauptvorteile einer Shottky-Diode zu finden. Gegenüber "normalen" Siliziumdioden, besitzen Shottky-Dioden einen weitaus geringeren Spannungabfall / voltage drop. Unmittelbar damit verknüpft, ist die einhergehende Verringerung der Verlustleistung.

Ein Datenblatt-Beispiel:

Berechnungssbeispiel mit typischen Werten

	1N4007		1N5819
Vf	1 V		0.6 V
If	1 A		1 A
Pv	1 W		0.6 W